～ 次世代HPCとAIの核となる3D実装技術 ～
主なポイント
・ハイブリッドボンディングは3Dスケーリングパスを可能にし、企業は垂直スタッキングによって機能を強化しながら、ノード縮小の限界を回避することができます。
・ハイブリッドボンディングは、すべてのHBM（高帯域幅メモリ）サプライヤーのロードマップに記載されています。
・ハイブリッドボンディングは、ヘテロジニアスインテグレーションにおいて、ファインピッチかつ高密度なスタッキングを実現するための鍵となる技術です。
・ハイブリッドボンディングを採用したチップレットベースのシステムは、次世代アプリケーション開発に不可欠な次世代ソリューションです。
詳細なレポートはこちら：Hybrid Bonding – Road to Packaging a Trillion Transistors
次世代チップにおいて1兆個のトランジスタを実現し、ムーアの法則を継続させていくためには、現在の1,000億個規模からチップ密度を10倍に高める必要があります。現時点において、高度なパッケージング技術によってI/O密度は向上しているものの、ヘテロジニアス設計およびチップレットの採用が進むことで、AI、5G、HPC（高性能コンピューティング）といったアプリケーションにおいては、さらなる高いI/O密度と低レイテンシが求められています。
このような要件に対応するために、ハイブリッドボンディングによる相互接続技術は、これらの進化を補完し、ムーアの法則を維持するために重要な役割を果たします。この技術は、大幅な省エネルギー、帯域幅の拡張、熱管理の最適化を可能とする重要なソリューションとして注目されています。
半導体業界が急速に3Dインテグレーションへと移行する中で、ハイブリッドボンディングは、次世代の高性能コンピューティング（HPC）およびAIアクセラレータ向けの先進的なパッケージングソリューションを推進する、主要な技術的イネーブラーの一つとなっていくでしょう。
ハイブリッドボンディングは、超高密度かつ低損失の相互接続を実現することにより、性能、効率、小型化を新たなレベルへと引き上げます。この技術は、3Dインテグレーションの未来を切り開き、3D Co-Packaged Optics（光集積パッケージ）、高帯域幅メモリ（HBM）、3D DRAMにおける技術的ブレークスルーの実現を促進します。
さらに、ハイブリッドボンディングは、光速でのデータ転送と、チップファブリックに直接組み込まれたインテリジェンスの実現を可能とするアーキテクチャへの道を切り開き、指数関数的に進化するAI時代において求められるパフォーマンスのあり方を再定義します。
この技術は、信号遅延を最小限に抑え、帯域幅を最大化することで、高度なヘテロジニアスシステムにおけるワット当たりの性能向上およびパッケージ密度の最適化という目標を達成するために、中心的な役割を果たしてまいります。
Hybrid Bonding Expansion into Future Applications
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