AI時代に向けた
1,000層3D NANDへの拡張
このホワイトペーパーは、カウンターポイント・リサーチ と ラムリサーチ の提携によって作成され、ラムリサーチ のエッチング技術における革新、特にその低温誘電体エッチング技術が、どのようにこれらの課題を克服するために重要であるかを掘り下げています。ラムリサーチ の革新は、高アスペクト比エッチングのより良い制御を可能にし、垂直スケーリングに不可欠であると同時に、エッチングプロセスの環境への影響を低減します。
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Overview
目次
- 要約
- 第1章 3D NAND革命
- 第2章 3D NAND 拡張ソリューション
- 第3章 AI時代のロードマップを可能とする3D NAND拡張
- 重要なポイント
- 用語集
3D NANDの採用が急速に拡大し、モバイルからクラウドまで広範なアプリケーションで主流となっています。 市場では、サプライヤーがワードライン層を300層以上に増やし、10年後には1,000層超の実現を目指して競争しています。
AI時代に対応するため、高密度で卓越した性能を持つ3D NANDアーキテクチャの開発が不可欠です。密度向上には、垂直、横方向、論理方向の拡張が必要であり、ウェーハエッチング技術の進展がカギとなります。
報告書では、エッチング技術の革新がどのように歩留まりの向上とコスト削減に寄与するかについて詳しく述べられています。